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D램 50나노 시대가 열렸다. 50나노 기술은 현재 양산 중인 80나노 공정보다 3세대 앞선 기술로 생산성이 2배 뛰어나기 때문에 D램의 ‘제2의 중흥기’를 가져올 것으로 기대된다.

삼성전자는 세계 최초로 50나노(1나노는 10억분의 1m) 기술을 적용한 세계 최소형 1기가바이트(GB) D램 제품 개발 소식을 19일 발표했다. 이로써 삼성전자는 2000년 150나노 기술을 시작으로 2001년 130나노와 100나노, 2002년 90나노, 2004년 80나노, 2005년 60나노에 이어 올해 50나노 기술까지 7세대 연속 D램 미세공정 개발을 선도했다.

50나노 공정 기술은 삼성전자가 지난해 세계 최초로 개발한 60나노 공정에 비해서도 생산성이 55%나 높은 최첨단 미세공정 기술. 초고속 동작과 데이터 저장능력, 저소비 전력 특성이 강화돼 대용량 PC용 D램과 그래픽 D램, 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용될 수 있다.

D램은 낸드플래시에 비해 구조가 복잡해 그동안 50나노 이하 공정은 현실적인 한계로 여겨져왔다. 삼성전자가 40나노 32기가 낸드플래시를 발표한 후 한 달여 만에 50나노 D램 기술을 발표한 것도 이 때문이다.

삼성전자는 50나노 공정을 적용한 D램 제품을 2008년 1분기부터 출시할 예정이다. 아울러 이번 50나노 D램 개발과 관련해 신규 공정, 제품 개발, 디자인 분야를 망라한 51건의 특허를 국내외에 출원했다.

삼성전자 관계자는 “이번 50나노 개발로 개발 측면에서는 경쟁사와의 격차를 1년 이상 벌렸다”며 “D램 사업 23년째인 올해 D램 제품 매출이 반도체 단일제품으로는 처음으로 100억 달러를 달성할 것”이라고 말했다.

◆4년간 550억 달러 시장 창출

삼성전자는 50나노급 D램 시장 규모가 2008년 50억 달러를 시작으로 2011년까지 4년간 550억 달러로 급증할 것으로 기대하고 있다.

한편 삼성전자는 이날 지난해 개발한 60나노 1기가바이트 DDR2 D램에 대해 업계 최초로 인텔의 인증을 받았으며 지난해 2월 세계 최초 개발한 DDR3 D램을 내년 출시할 예정이라고 밝혔다. 하이닉스도 이날 60나노급 1기가바이트 DDR2 D램에 대해 인텔 인증을 받았다고 밝혔다.

* 대용량 PC·모바일 등 모든 제품에 적용

삼성전자가 개발한 50나노 기술은 D램의 제2 중흥기를 이끌 것으로 기대되고 있다.

50나노 기술이 적용된 제품이 초고속 동작은 물론 저소비 전력 특성까지 갖추게 됨으로써 향후 대용량 PC용 D램뿐 아니라 그래픽 D램, 모바일 D램 등 모든 D램 제품에 적용될 것이기 때문. 특히 올해 말 출시 예정인 마이크로소프트의 새 운영체제(OS)인 ‘윈도 비스타’의 권장 메모리가 기존 128메가바이트에서 1기가바이트로 확장됨에 따라 D램 시장 확대에 미치는 파괴력은 그 어느 때보다 클 것으로 예상된다.

삼성전자 반도체총괄 조남용 부사장은 “D램 수요처가 PC는 물론 모바일, 디지털 소비자 가전, 게임기 등 IT 산업 전 분야에 빠르게 확산 중인 데다 윈도 비스타 효과까지 가세하는 시점에 50나노 제품을 개발해 어느 때보다 의미가 크다”고 말했다.